佰維存儲公告稱，2026 年第一季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 68.14 億元，同比增長 341.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為 28.99 億元，同比扭虧為盈。業(yè)績變動主要系本期業(yè)績大幅增長，主要受益于 AI 算力爆發(fā)，存儲行業(yè)進(jìn)入高景氣周期，市場需求旺盛推動產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲。

受此消息催化，科創(chuàng)芯片 ETF ( 588290 ) 上漲 0.5%，成分股中船特氣上漲 7.2%，芯源微上漲 4%，峰岹科技上漲 3.5%，聯(lián)蕓科技上漲 3.01%，納芯微上漲 2.43%。拉長時(shí)間看，截至上一個交易日收盤，科創(chuàng)芯片 ETF ( 588290 ) 近 1 周累計(jì)上漲 5.15%。

熱點(diǎn)解讀

當(dāng)前，存儲行業(yè)進(jìn)入新一輪景氣周期，DRAM 合約價(jià)（芯片供應(yīng)商與客戶之間簽訂的長期供應(yīng)合同中的價(jià)格）預(yù)計(jì) 2026 年第一季度季增 90% 至 95%，第二季度漲價(jià)已提前鎖定，再漲約 30%。TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，第二季度 DRAM 合約價(jià)將季增 58% 至 63%，NAND Flash 合約價(jià)則季增 70% 至 75%。Micron 財(cái)報(bào)顯示，DRAM 業(yè)務(wù)營收同比增長 207%，環(huán)比增長 74%，產(chǎn)品 ASP 環(huán)比上漲約 65%；NAND Flash 業(yè)務(wù)營收創(chuàng)歷史新高，環(huán)比增長 82%，產(chǎn)品 ASP 環(huán)比上漲 75%～79%。

漲價(jià)背后，存儲芯片產(chǎn)能供應(yīng)持續(xù)吃緊。大型 AI 數(shù)據(jù)中心建設(shè)需求激增，促使科技公司大量囤積存儲芯片，導(dǎo)致整個行業(yè)處于短缺狀態(tài)。全球 HBM ( 高帶寬內(nèi)存 ) 未來 3 年復(fù)合年增長率預(yù)計(jì)超 40%，短缺態(tài)勢將持續(xù)到 2026 年以后。Samsung 已確認(rèn)正在開發(fā)第八代高帶寬內(nèi)存 HBM5，核心底層芯片將采用 2nm 工藝打造。

為匹配市場需求，Micron 上調(diào)資本開支規(guī)劃，2026 財(cái)年資本支出預(yù)計(jì)超 250 億美元，2027 財(cái)年將繼續(xù)大幅增長，重點(diǎn)投向 HBM 及 DRAM 產(chǎn)能建設(shè)。2026 年資本支出重點(diǎn)將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級與混合鍵合等先進(jìn)工藝的導(dǎo)入，位元供給增長幅度有限，供不應(yīng)求的市場狀態(tài)或?qū)⒊掷m(xù)全年。Samsung 與 NVIDIA 合作深化，后者新款 AI 推理芯片已委托三星晶圓代工事業(yè)部負(fù)責(zé)生產(chǎn)。

國產(chǎn)存儲也在加速發(fā)展，長鑫存儲已正式推出 LPDDR5X 產(chǎn)品，長江存儲三期建設(shè)正邁向 100% 設(shè)備國產(chǎn)化目標(biāo)。CBA+4F2 在制程節(jié)點(diǎn)壓力以及混合鍵合技術(shù)積累加持之下或成為國產(chǎn)存儲彎道超車的必由之路。國內(nèi)利基存儲市場亦將在 AI 定制化存儲推動下迎來發(fā)展良機(jī)，長江存儲和長鑫存儲作為國內(nèi)存儲芯片制造龍頭企業(yè)，有望為產(chǎn)業(yè)鏈帶來諸多機(jī)會。

投資邏輯

存儲行業(yè)正迎來新一輪景氣周期，DRAM 與 NAND Flash 合約價(jià)格持續(xù)上漲，AI 算力需求爆發(fā)導(dǎo)致產(chǎn)能供應(yīng)吃緊，全球 HBM 未來 3 年復(fù)合年增長率預(yù)計(jì)超 40%。存儲原廠如 Micron 上調(diào)資本開支規(guī)劃，重點(diǎn)投向 HBM 及 DRAM 產(chǎn)能建設(shè)，2026 年將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級與先進(jìn)工藝導(dǎo)入。國產(chǎn)存儲加速發(fā)展，長鑫存儲推出 LPDDR5X 產(chǎn)品，長江存儲三期建設(shè)邁向 100% 設(shè)備國產(chǎn)化，CBA+4F2 技術(shù)或成為國產(chǎn)存儲彎道超車路徑，國內(nèi)利基市場在 AI 定制化存儲推動下迎來發(fā)展良機(jī)。